A pesar de que comenzó a hablarse de ella en 2006 como posible sustituta de los chips actuales basados en el silicio, lo cierto es que es ahora cuando más cerca vemos su inclusión real en el mercado de los dispositivos informáticos.
La memoria PCM (Phase Change Memory) o memoria de cambio de fase está basada en un tipo especial de cristal, cristal calcógeno, compuesto de germanio, antimonio y telurio, capaz de cambiar su estructura o forma debido al calor.
Así, aplicando pequeños pulsos eléctricos a células aisladas de este cristal amorfo, es posible modificar su morfología con objeto de almacenar datos, ya que al cambiar de forma, también cambia su resistencia eléctrica, propiedad empleada para determinar los estados binarios de cero y uno básicos para generar la memoria.
IBM lleva más de media década trabajando en la llamada «memoria de cambio de fase», o simplemente PCM. El gran objetivo es crear una memoria capaz de igualar el rendimiento, la durabilidad y el costo de opciones como la RAM tradicional y la memoria Flash. Uno de los inconvenientes más importantes en los módulos PCM es su límite en el almacenamiento de bits por celda, pero IBM anunció que su nueva generación puede guardar tres bits por celda, y resiste como mínimo diez millones de ciclos de escritura.
Micron anunció la primera solución comercal en julio de 2012, sólo para retirarla del mercado 18 meses después, y unir fuerzas con Intel en el desarrollo de 3D XPoint, ahora llamada Optane. El único gran jugador que aún parece interesado en PCM es IBM, y su nuevo logro podría colocar un poco de presión a sus rivales directos. En términos sencillos, IBM ahora puede almacenar un máximo de tres bits por celda PCM. Al tratarse de un proceso térmico, las dificultades para guardar más de un bit son considerables, pero IBM alcanzó su meta modificando la reacción de los cristales bajo altas temperaturas. Con este aumento en la densidad, el número uno en investigación de memorias no volátiles en IBM Haris Pozidis indicó que la tecnología PCM tendrá un costo menor al de la memoria DRAM, y más cercano al de la memoria Flash.
La primera idea que propone IBM para el uso de memoria PCM es el almacenamiento completo de los sistemas operativos en dispositivos móviles, lo que mejoraría en buena medida su capacidad de respuesta. Finalmente, el nuevo módulo PCM de IBM resiste como mínimo diez millones de ciclos de escritura, algo impresionante frente a los 3.000 ciclos que vemos en las memorias Flash más económicas.
